智东西(公众号:zhidxcom)
编| 赵佳蕊

导语:面对销量已经连跌6个月的闪存芯片市场,制造商积极调整,正努力提升96层3D NAND闪存芯片的良率,以增强产品竞争力。

智东西7月23日消息,据台媒DIGTIMES报道,根据行业内消息,NAND闪存芯片制造商正在积极提高96层3D NAND闪存芯片的良率,希望该芯片能在2020年成为主流NAND闪存芯片,其中3D闪存是指将原本平面排列的记忆单元改为垂直方向,不同层面之间通过穿孔联系起来,层数越多,制造工艺越复杂。

NAND闪存芯片制造商想要提高96层3D NAND闪存芯片的良率的一部分原因是,这一举措可以降低制造成本,增强产品的竞争力。

一、今年NAND闪存芯片市场供过于求

有业内人士称,在2019年96层3D NAND闪存芯片将占据全球NAND闪存芯片产量的30%。随着供应商加快技术过渡,提高NAND闪存芯片良率,96层3D NAND闪存芯片的产量预计在2020年超过64层3D NAND闪存芯片的产量。

还有业内人士称,因为NAND闪存芯片市场的需求放缓,今年NAND闪存芯片市场供过于求。因此NAND闪存芯片制造商应该放慢扩张步伐,甚至削减生产规模,以更好的控制库存。

二、各大厂商正削减NAND闪存芯片产量

一些企业感知到NAND闪存芯片的市场疲软后,开始削减产能。例如,美光科技(Micron Technology)已经宣布将削减NAND闪存芯片产量的10%。同时SK海力士也曾公开表明,他们估计SK海力士今年的NAND闪存芯片产能将同比下降10%以上。

另一方面,据报道,三星电子也将在短期内调整NAND闪存芯片生产计划,以应对日韩贸易争端。

有消息人士称,主要的NAND闪存芯片制造商将削减64层3D NAND闪存芯片和其他成熟的产品占比,以提高96层3D NAND闪存芯片的产能。

除了提高96层3D NAND闪存芯片的良率,各大闪存芯片制造商也在积极推动120/128层3D NAND芯片的研发。有业内人士称,许多NAND闪存芯片制造商已经交付了他们的120/128层3D NAND芯片样本,其中128层3D NAND芯片的竞争或将于2019年下半年到2020年之间拉开帷幕。

结语:闪存芯片厂商积极调整,应对市场不稳定性

目前全球闪存市场十分不稳定,例如,全球第二大闪存供应商东芝在日本的5座NAND闪存工厂遭遇大规模断电事故,本月初日韩贸易争端导致三星的闪存芯片产量面临极大地不稳定性等。

面对如此复杂的局面,闪存芯片制造商或许可以通过提高96层3D NAND闪存芯片的良率,增强自身竞争力,以适应变化多端的NAND闪存芯片市场。

文章来源:DIGTIMES