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英特尔推三维数据存储芯片

Fourteen智能穿戴2015/07/29

智东西7月29日消息,英特尔(Intel)联手微米(Micron)在记者招待会上发布了一款新的三维记忆芯片,数据读取/采集速度可达普通产品的1000倍。

智东西(公众号:zhidxcom)

文 | 十四

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智东西7月29日消息,英特尔(Intel)联手微米(Micron)在记者招待会上发布了一款新的三维记忆芯片。

据称,该款芯片数据将颠覆1989年以来主流的数据存储方式,数据读取/采集速度可达普通产品的1000倍,将可运用于智能手机运行速率的提高、笔记本电脑固态硬盘基因序列以及超级计算机上。目前,该芯片已由Xpoints投入生产,将应用于下一代笔记本电脑。

现代闪存采用晶体管组成记忆元件,采用高低电阻表示0/1数字信号,在改变存储内容是需要单电子浮动。新型芯片采用单个电位存储一个数字信号的方式,在算法方面突破传统与非门极限。

微米总裁Mark Adams表示,大数据计算处理对存储器提出革新要求,这种非易失性记忆芯片为新的应用提供可能。英特尔认为,新型芯片对错误检测、实时数据分析、问题追踪方面会有很大帮助。

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