芯东西8月10日消息，三星半导体在本次第五届OCP China Day 2023（开放计算中国技术峰会）上分享了两大应对内存墙限制的创新技术解决方案和开放协作的业务战略。

三星电子副总裁、半导体事业软件开发团队负责人张实完（Silwan Chang）认为：“当前内存技术的发展正面临内存墙限制的挑战。我们的首要解决方案是引入主动存储（Active Memory）建立全新内存层次结构，其次是发展以数据为中心的计算技术。”

三星半导体面向人工智能和机器学习而研发的创新技术，能够有效突破内存墙限制的存储解决方案，例如面向高性能计算优化的高带宽存储“HBM3 Icebolt”，能够在处理器旁提供高速性能和大容量内存，具有高达819GB/s的性能和24GB的内存容量；以及可以增加内存容量，提高能效的内存解决方案“CXL存储扩展器（CXL Memory Expander）”，和同样基于CXL协议，能够在内存和存储之间高效迁移数据的“存储器-语义固态硬盘（Memory-Semantic SSD）”。这些技术的发展为开发千兆级大容量存储解决方案奠定了基础。

▲三星半导体在OCP China Day 2023现场展台

去年，三星推出了全球首款用于服务器PCIe 5.0的固态硬盘PM1743。该硬盘不仅将能效提高了一倍，还采用了自有的多租户技术。PM1743预计将在今年部署到需要超高性能的生成式人工智能应用中。

三星还首次在国内公开展示了超高性能PCIe 5.0数据中心专用SSD——PM9D3a。它采用三星先进的控制器、软件和系统技术，最大的优势在于PM9D3a是一款能提供每TB 50KIOPS随机写入性能（最大8TB）的8通道产品。与上一代产品相比，随机性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。另外，PM9D3a能够在高温高湿环境下依旧保持可靠性，在多种数据中心环境中提供稳定的解决方案。PM9D3a还采用了SPDM（安全协议和数据模型）功能来保护设备上的信息，加强了保密性和完整性的认证。目前，PM9D3a已完成开发工作，预计于明年上半年将推出多种形态的产品以满足客户的需求。

同时，三星半导体还分享了新的千兆级超高容量闪存解决方案“PBSSD”，它将三星最新的V-NAND技术与各种内存/存储设备相结合，提供高性能、大容量和高能效的存储，可以有效地帮助数据中心存储资源，降本增效。

基于三星半导体的千兆级闪存解决方案（PBSSD），和存储扩展器等主动存储解决方案，系统性能可以获得有效提升。

同时，三星半导体重视开放创新，他们认为这是克服技术挑战的有效方法之一。为此，三星将在存储器研究中心（SMRC）内建立OCP体验中心，为合作伙伴、OCP成员和学术界提供共同解决技术难题的平台。

实际上，“内存墙”并不是三星面临的唯一挑战，以更快的速度处理数据需要大量的功耗，这将不可避免地导致大量碳排放。为实现2050年碳中和的目标，三星开发并应用了生命周期评估（LCA）流程来计算和检测所有产品的碳排放量，以减少产品生命周期和半导体供应链中对环境的影响。三星还加入IMEC的可持续半导体技术和系统（SSTS）计划，通过合作创建一个可持续的半导体生态系统和开发计算碳排放技术，实现保护环境和可持续发展的最终目标。 

最后，张实完称：“作为致力于内存技术发展的公司，我们将继续在中国市场推动OCP开放式创新。这将成为推动技术发展、突破内存墙等限制的重要动力。”