科创大讲堂由智东西公开课全新企划，旨在连接科创家和优秀开发者，以及学者和投资人，主讲人工智能、硬科技、智能制造、元宇宙等新兴科技领域的重大创新与实践探索。

5月起，科创大讲堂今年的首个专场——「存算一体芯片专场」正式推出，将持续主讲存算一体技术。苹芯科技CTO章尧君博士、千芯科技董事长陈巍博士、杭州智芯科微电子创始人&CEO张钟宣博士三位科创家将受邀参与专场进行主讲。

5月12日，「存算一体芯片专场」第一讲将开讲，由苹芯科技CTO章尧君博士主讲，主题为《基于SRAM的存内计算加速器设计与实现》。

根据存储器介质的不同，存算一体芯片主流研发以易失性存储器（如SRAM、DRAM）和非易失性存储器（如RRAM，PCM，MRAM与闪存等）为主。其中，SRAM具有响应速度快、没有写次数限制、工艺成熟度高等优点，也是近期前沿研究更多偏向于SRAM来探索和设计存算一体架构的主要原因，苹芯科技就是其中比较有代表性的一家。

苹芯科技专注于利用新兴的存内计算技术对现有的计算进行加速，已开发实现了多款基于SRAM的存内计算加速单元并已完成流片。同时，苹芯科技也是全球首家成功设计28nm工艺节点SRAM存内计算芯片的公司，并完成了相关语音识别等AI模型Demo系统的搭建与演示，在算力、吞吐量和时延方面，比现有技术提升2至5倍。

在此次讲解中，章尧君博士首先将从市场和技术两个维度对存内计算的发展进行分析，并对存内计算的技术背景和原理进行系统阐述；最后，他会对苹芯科技基于SRAM的存内计算架构创新和软硬件协同设计方法进行深入讲解。

本次讲解将以视频直播形式在智东西公开课知识店铺进行。由40分钟主讲与20分钟问答组成。针对「存算一体芯片专场」，也组建了专属交流群，届时将邀请章尧君博士加入，欢迎大家报名和申请入群。

课程内容

主题：基于SRAM的存内计算加速器设计与实现
提纲：
1、市场与技术双重驱动存内计算爆发
2、存内计算技术背景与原理
3、基于SRAM的存内计算架构创新
4、存内计算加速器软硬件协同设计

主讲人介绍

章尧君博士, 苹芯科技CTO，匹兹堡大学电子工程博士，拥有10余年新型存储器研发经验，发表40余篇国际期刊会议论文，引用量超过1000次；曾任全球唯一商业化磁存储器（MRAM）公司Everspin Technologies核心技术专家，拥有十余项核心设计专利。

课程信息

直播时间：5月12日19：00
直播地点：智东西公开知识店铺