芯东西(公众号:aichip001)
编译 |  ZeR0
编辑 |  漠影

芯东西2月28日消息,据Tom’s Hardware报道,根据英特尔演示文稿,英特尔此前从未公布的Intel 10A(1nm)制程节点将于2027年年底投产,而Intel 14节点将于2026年投产

后缀“A”代表埃米(Angstrom),10埃米等于1纳米(1nm),也就是说Intel 10A将是英特尔的第一个1nm级节点

上周芯东西曾详细报道英特尔最新公布的制程节点路线图(重磅!微软Arm联手英特尔造芯,OpenAI CEO大谈AI计算需求,Intel 14A制程首公布),当时英特尔并未直接注明Intel 14A节点的具体生产时间,更是从未提到过Intel 10A。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

Intel 14A将是英特尔首次采用High-NA EUV光刻机的工艺。对比来看,台积电此前路线图显示,其1.4nm级A14工艺预计在2027到2028年间推出,采用High-NA EUV的1nm级A10工艺开发预计将在2030年左右完成。

如果英特尔代工业务能按期推进计划,将在关键的1nm节点重夺技术领导权,领先于台积电。

英特尔公司执行副总裁兼全球首席运营官Keyvan Esfarjani举行了一场很有见地的会议,展示了未来几年的路线图。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

左图概述了英特尔各制程节点的WSPW(每周晶圆生产数),Y轴没有标签。从这张图表可以直接了解英特尔的产量。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

英特尔没分享有关Intel 10A/1nm节点的细节,但透露说它将新节点归类为至少具有两位数的功率/性能改进。

英特尔CEO帕特·基辛格称,新节点的改进幅度约在14%~15%左右,因此可以预期Intel 10A至少比Intel 14A节点有同样水平的改进。(例如,Intel 7和Intel 4之间是15%的改进幅度。)

随着向启用EUV的节点过渡,英特尔将稳步减少其14nm、10nm、Intel 7和12nm节点的总产量。

英特尔还将积极提升Foveros、EMIB、SiP、HBI(混合键合互连)等的先进封装产能。先进封装产能一直是当前AI加速器短缺的关键点。增加的产能将确保具有复杂封装的先进处理器的稳定供应,包括HBM。

该公司最近使用标准封装完成了所有内部封装工作,现在正全力以赴投入先进封装,并将使用OSAT(外包组装和测试公司)来执行标准封装任务。

这张图显示了英特尔如何转向对外代工,这将使它能够增加每个节点的产量和每个节点的生产时间,长期为客户提供订单,从而最大化从其晶圆厂和设备支持的利润。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

Esfarjani还分享了英特尔全球业务的细节。除了现有设施外,英特尔计划在未来五年内投资1000亿美元用于扩建和新的生产基地。

英特尔分享了一些节点生产的位置,其中Intel 18A是在亚利桑那州的Fab 52和Fab 62。高塔半导体的先进封装和65nm晶圆代工业务将在新墨西哥州的Fab 9和11X进行。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

该公司没有透露计划在哪儿生产Intel 10A,它还在俄亥俄州、以色列、德国、马来西亚和波兰进行扩建。

此外,英特尔致力于在未来创建完全自主的AI晶圆厂,计划在其生产流程的所有环节使用AI,从产能规划和预测到产量改进和实际生产运营,这是一项“10倍的登月计划”。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

Esfarjani没有提供“登月计划”的时间表,但表明这将影响其未来运营的方方面面。这包括引入能与人类一起工作的协作机器人AI“Cobots”,以及制造过程中广泛采用机器人自动化。

来源:Tom’s Hardware