芯东西（公众号：aichip001）
编译 |  ZeR0
编辑 |  漠影

芯东西3月4日消息，据Barron’s报道，戴尔的一位高管在上周财报电话会议上透露，英伟达将于2025年推出旗舰AI计算芯片B200 GPU，单张GPU功耗达1000W。

相比之下，当前英伟达旗舰H100 GPU的整体功耗为700W，英伟达H200和AMD Instinct MI300X的整体功耗在700W~750W。此前B200并未出现在英伟达公布的路线图中，英伟达可能是先向戴尔等大型合作伙伴透露了相关信息。

▲英伟达数据中心/AI产品迭代路线图（图源：英伟达）

根据其此前披露的路线图，B100是新一代旗舰GPU，GB200是将CPU和GPU组合的超级芯片，GB200NVL是超级计算使用的互连平台。

▲英伟达数据中心/AI GPU基础信息（图源：Wccftech）

戴尔的“剧透”意味着英伟达Blackwell GPU系列至少将包括两款主要的AI加速芯片——今年登场的B100和明年问世的B200。

▲戴尔科技集团COO兼副董事长Jeffrey W.Clarke在财报电话会议上的发言实录截图

有报道称英伟达Blackwell GPU可能会采用单片设计。但考虑到芯片消耗的功率及所需散热量，也有推测判断B100可能是英伟达第一个双芯片设计，以使其有更大表面积来处理产生的热量。

去年英伟达成为台积电第二大客户，占台积电净收入的11%，仅次于给台积电贡献了25%收入的苹果。为了进一步提升性能和能效，英伟达下一代AI GPU预计会采用性能增强的工艺技术。

和Hopper H200 GPU一样，第一代Blackwell B100将利用HBM3E内存技术，因此升级后的B200变体可能会采用更快版本的HBM内存，以及可能更高的内存容量、升级规格和增强功能。

英伟达对数据中心业务的收入抱有很高期望。据韩媒去年12月报道，英伟达已向存储芯片大厂SK海力士、美光预付了超过10亿美元的订单，为H200和B100 GPU的HBM3E内存确保足够的库存。英伟达计划在B100中启用HBM3E，并通过采用Chiplet设计实现每瓦性能的提升。

▲英伟达GPU采用的内存技术演进路线图（图源：英伟达）

戴尔、惠普两家AI服务器大厂在上周财报会期间均提到对AI相关产品的需求猛增。戴尔称其第四财季AI服务器积压订单几乎翻番，并透露AI订单分布在几款新旧GPU上。惠普在电话会议上透露GPU交货时间“仍然较长”，为20周或更长。

来源：Wccftech，Barron’s