芯东西（公众号：aichip001）
编译 |  ZeR0
编辑 |  漠影

芯东西3月13日消息，据外媒援引知情人士消息，为了在高端AI芯片竞赛中急追猛赶，三星存储芯片紧急踩刹车，准备使用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。

生成式AI对高带宽内存（HBM）芯片的需求激增，但当SK海力士、美光科技被曝拿下英伟达高额订单时，三星却意外在交易中缺席。

分析人士和业内观察人士认为，三星电子落后的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电薄膜（NCF）芯片技术，而SK海力士转向高端封装工艺MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）方法来解决NCF的缺陷。

不过据三名直接知情人士透露，三星最近已经下单采购用于MUF技术的芯片制造设备。

“三星必须采取措施提高HBM（生产）产量……对三星来说，采用MUF技术是一件有点忍辱负重的事情，因为它最终采用了SK海力士最初就使用的技术。”一位消息人士说。

几位分析师称，三星HBM3芯片的产率约为10-20%，而SK海力士HBM3的产率约为60-70%。

HBM3和HBM3E是最新版本的HBM芯片，需求旺盛，能帮助处理生成式AI的大量数据。

三星还在与日本Nagase等材料制造商进行谈判。一位消息人士称，使用MUF大规模生产高端芯片最早要到明年才能准备就绪，因为三星需要进行更多测试。

三位消息人士还透露说，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。

三星表示，内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于新的HBM3E芯片。该公司在一份声明中写道：“我们正在按计划开展HBM3E产品业务。”

三星使用MUF的计划凸显了它在AI芯片竞争中面临越来越大的压力。根据研究公司TrendForce的数据，在AI相关需求的推动下，HBM芯片市场今年将增长1倍以上，达到近90亿美元。

非导电薄膜芯片制造技术已被芯片制造商广泛用于在紧凑的高带宽存储芯片组中堆叠多层芯片，因为使用热压缩薄膜有助于减少堆叠芯片之间的空间。但随着层数增加，制造变得复杂，粘合材料也经常出现问题。三星称其最新的HBM3E芯片有12个芯片层。芯片制造商一直在寻找解决这些弱点的替代方案。

SK海力士率先成功转向MR-MUF技术，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师Jeff Kim估计，SK海力士今年在为英伟达提供的HBM3及更先进的HBM产品中所占的市场份额将超过80%。

美光上个月加入HBM竞争，宣布其最新HBM3E芯片将被英伟达采用，为将于第二季度开始发货的英伟达H200芯片提供动力。

据多位消息人士透露，三星HBM3系列尚未通过英伟达的供货资格。

三星在AI芯片竞赛中的挫折已被投资者注意到，其股价今年下跌了7%，SK海力士和美光的股价则分别上涨了17%和14%。