芯东西(公众号:aichip001)
编译 | 刘煜
编辑 | 陈骏达

芯东西4月8日消息,昨天,三星电子公布2026年第一季度业绩指引,称根据韩国企业会计准则(K-IFRS)预计,其今年第一季度其合并营收约为133万亿韩元(约合人民币6168.1亿元),同比增长约68.1%;合并营业利润约为57.2万亿韩元(约合人民币2652.75亿元),同比增长超755%。该公司此季度业绩电话会议将于本月底举行。

昨天,三星公布创纪录的季度利润预期后,韩股盘中,三星电子股价最高上涨约4.87%,随后涨幅收窄,最终收涨1.76%。今天韩股收盘后,三星电子股价为210500韩元(约合人民币976.23元),上涨约7.12%

利润狂飙755%!三星业绩爆表,AI存储红利加速释放

▲三星电子今天韩股收盘股价图(图源:Investing)

过去一年,高带宽内存芯片(HBM)需求呈爆发式增长,引发全球存储芯片市场供应短缺,推动三星等存储厂商产品量价齐升。三星电子这份巨额业绩预期,主要得益于其存储芯片业务,尤其是AI计算所用高带宽内存芯片的旺盛需求。

3月,据韩国产业垂直财经媒体The Bell报道,业界消息称,三星电子已收到苹果发出的12GB LPDDR5X DRAM采购订单,该DRAM将搭载于苹果首款折叠屏手机。苹果是三星电子的核心客户之一,该公司此前一直以相对较低的价格采购三星的内存,在最新一轮与三星的合约谈判中,苹果首次为内存涨价买单。

去年下半年,三星电子开始向英伟达及其他主要客户供应第五代HBM(HBM3E),并从本季度起开始供应下一代HBM产品HBM4。韩国的科技与电子新闻媒体ETNews称,三星电子此次预计实现的高营业利润中,已体现出了HBM4带来的部分收益

据ETNews报道,由于三星电子等主流内存厂商将产能集中于HBM供应,目前面向服务器、手机、PC等领域的通用DRAM仍处于供应短缺状态。这推高了HBM价格,也带动了通用DRAM价格上涨。业内人士称:“各大客户正主动找到三星电子,强烈要求加大DRAM等内存产品的供应。”

ETNews称,三星电子DRAM供货价格在第一季度已暴涨至高位。与去年第四季度相比,整体DRAM供货价格平均上调了100%以上,而NAND Flash价格同样上涨约100%

市场研究机构Counterpoint Research分析师Hwang Min-seong向CNBC透露:“三星电子一季度营收与营业利润规模,已可与全球科技巨头比肩。”他预测,今年第二季度通用存储芯片价格预计将继续上涨50%以上,供应紧张局面短期内难以缓解。

CNBC称,若三星实现此次的利润预期,将创下三星单季利润纪录,接近此前最高纪录的三倍,同时远超伦敦证券交易所集团(LSEG)旗下的智能基金筛选与评级工具路孚特智选预估的42.3万亿韩元。

今年1月,三星发布的2025第四季度财报电话会议内容显示,2025年期间,三星电子的包含存储芯片业务的DS(设备解决方案)部门,贡献了约39%的总营收与约57%的营业利润。

利润狂飙755%!三星业绩爆表,AI存储红利加速释放

▲DS部门营收和营业利润(图源:三星电子官网)

CNBC称,尽管三星电子的业绩预期向好,但今年该公司仍可能面临中东地区持续冲突带来的不利影响。

近期,美国、以色列与伊朗之间的冲突,已导致氦气等半导体制造关键原材料运输受阻,三星、SK海力士等企业的生产面临中断的风险。

Hwang分析师称:“若中东冲突快速结束,不会对利润造成显著影响;但如果冲突持续数月甚至更久,将引发严重后果。”

结语:AI算力需求引爆存储超级周期,头部厂商盈利大幅增长

当前,存储芯片供需持续紧张,三星电子作为存储芯片龙头企业直接受益,其业绩指引超预期,股价也应声上涨。

不止如此,今年1月,韩国另一家存储芯片巨头SK海力士称,2025年,该公司实现了创纪录的年度最高收入,其营业利润同比大涨101%。对于NAND业务方面,尽管上半年市场需求疲软,但其仍完成了321层QLC内存产品的开发。并在下半年重点发力,优先供应企业级固态硬盘(eSSD),抓住了AI数据中心的大订单。

3月,美光公布的财报称,其第二财季DRAM营收为188亿美元(约合人民币1283.8亿元),同比增长了约207%。NAND的营收为50亿美元(约合人民币341.44亿元),同比增长约169%,占总营收的约21%。该公司预计,第三财季营收约为335亿美元(约合人民币2287.61亿元)。

由此可见,在AI算力需求暴涨的当前,市场对于存储芯片的需求持续高涨,头部存储企业盈利水平大幅提升。当前,存储行业的增长逻辑已从消费电子逐渐转向AI数据中心与企业级高端存储,由于存储芯片供需缺口仍在持续,存储行业或还将处于由AI算力基础设施主导的新一轮增长周期内。