▲图源：路透社

芯东西（公众号：aichip001）
编译 | 刘煜
编辑 | 陈骏达

芯东西4月23日消息，今天，据彭博社报道，在2026北美技术论坛上，台积电联席副首席运营官Kevin Zhang（张晓强）称，在2029年以前，台积电不会采购ASML新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV）。消息一出，当天ASML美股短时下跌，盘中最大跌幅超4%，截止最后收盘下跌1.05%。

▲ASML股价（图源：腾讯自选股）

该款光刻机是支撑1.4nm及以下先进制程的核心装备，分辨率与制程能力显著优于上一代，但此类设备单价逾3.5亿欧元（约合人民币27.98亿元），接近主流低数值孔径紫外光刻机（Low‑NA EUV）设备的1.8倍。

现阶段，AI与先进制程需求虽旺，但High‑NA对应的1.4nm及以下节点尚未大规模爆发，大规模采购难快速回本。

据美国媒体《EE Times》报道，张晓强称：“我必须说，我对我们的研发团队感到惊叹。他们持续找到不依赖High-NA EUV就能实现工艺微缩的方法。或许未来某一天我们不得不使用它，但就目前而言，我们仍能从现有EUV中挖掘收益，不必转向High-NA EUV——毕竟它极其昂贵。”

台积电计划投产的A13和A12均无需使用High-NA EUV光刻设备，该公司将继续使用ASML的Low‑NA EUV设备以及工艺优化，实现其规划的2029年的稳定量产路线。

张晓强说道：“去年我们发布了基于最先进的第二代纳米片技术的A14制程，计划于2028年投产。今年，我们将发布A14的衍生版，包括A13和A12，均计划于2029年投产。”

今年1月下旬，在2025年第四季度及全年财报发布会上，ASML称，预计2026年的增长主要由EUV设备销量的大幅提升，以及存量设备相关业务收入的增长所驱动。

同时，该公司预计其2030年的潜在市场规模（营收机会）将达到440亿欧元（约合人民币3517.58亿元）至600亿欧元（约合人民币4796.88亿元），毛利率将在56%至60%之间。

ASML称，其正与客户共同推进High-NA EUV平台的成熟化，确保按计划在2026年底前满足大规模量产（HVM）条件，并于2027至2028年在客户产线正式投入应用。

而据彭博社供应链数据显示，台积电是ASML的最大客户。台积电此次宣布，2029年前将不采购能为ASML贡献高营收的High-NA EUV设备，无疑会对ASML的营收增长造成一定影响。

此外，全球光刻设备市场的格局转变或早有预兆。4月中旬，ASML发布的最新财报显示，中国台湾地区在其设备净销售额中的占比降至23%；中国大陆市场占比从去年四季度的逾三分之一回落至19%。

而韩国市场由于其存储厂商的大规模的设备采购需求，成为ASML现阶段全球第一大营收来源地。

结语：台积电暂缓高阶光刻设备，或重塑下一代光刻商业化节奏

综合来看，台积电基于成本、投资回报与现有工艺迭代节奏，明确推迟High-NA EUV的导入节奏。依托成熟Low-NA EUV叠加工艺优化，台积电或得以在2029年前维持先进制程稳步迭代。

此次供需双方预期错配，不仅给ASML长期增长目标增添不确定性，也意味着未来数年，全球部分尖端芯片制造或将进入无High-NA EUV加持的过渡发展阶段。

不过，今年3月下旬，SK海力士已经与ASML签订EUV光刻设备采购协议，该协议有效期至2027年，采购规模达到11.95万亿韩元（约合人民币553.7亿元）。

在这一背景下，三星等厂商之后的设备采购动向以及其先进制程的释放节奏，将成为后续影响High-NA EUV的商业化进程，以及全球半导体产业链格局走向的重要变量。