芯东西（公众号：aichip001）
编译 | 刘煜
编辑 | 陈骏达

芯东西6月24日消息，据韩媒《朝鲜日报》昨日报道，业内消息称，SK海力士原定将部分HBM3E（第五代HBM）产线切换至HBM4（第六代HBM），如今已推迟该产线转换计划，放缓HBM4扩产步伐，把经营重心转向通用DRAM市场，以挖掘新增盈利空间。

行业观点认为，SK海力士HBM营收占比已突破40%，确立了相对领先的优势。该公司判断自身在HBM市场根基稳固，无需急于推进HBM4、HBM4E（第七代HBM）产线转换。

SK海力士此番战略调整也与当前市场盈利结构变化密切相关。通用DRAM的营业利润率已经高于HBM，于是该公司计划加大通用DRAM产能投放，靠这块业务增厚利润。

具体而言，按今年一季度数据推算，通用DRAM每Gb单价虽仍不及HBM，但二者营业利润率差距已扩大15个百分点以上。大信证券预测，该行业通用DRAM营业利润率理论峰值年内最高可攀升至90%。

实际上，早在今年4月，SK海力士在2026财年第一季度业绩发布会上已释放出类似信号。该公司称，DRAM平均销售单价涨幅达到60%中段区间，其未来将重点满足高密度服务器模组与移动终端市场需求。

与此同时，会议上该公司还正面确认已与微软签订三年期DDR5供货协议。市场对此解读称，SK海力士这么做是为锁定通用DRAM板块的长期收益，同时减少业绩波动。

此外，一位熟知SK海力士内部情况的相关人士称：“SK海力士管理层无法忽视竞争对手三星电子已依靠通用DRAM赚取巨额利润的现状。”

该人士补充道：“搭载HBM4的英伟达新一代AI平台Rubin的需求预期近期有所下调，因此SK海力士没有理由加急推进HBM产线升级。”

部分海外投行也同样认同这一战略逻辑。高盛评价称，至少在2026年全年，SK海力士只要维持在HBM3（第四代HBM）、HBM3E（第五代HBM）领域50%以上的主导份额，即可持续保持自身优势。

摩根士丹利则认为，驱动SK海力士企业价值的核心要素并非守住HBM份额，而是存储全品类价格周期。该机构预计，2026年DRAM平均销售单价（ASP）将上涨62%，并据此将SK海力士未来业绩预期上调56%至63%。

SK海力士放缓HBM4扩产的另一面，是竞争对手可能获得更多追赶机会。

随着SK海力士此次主动管控HBM4出货量，竞争对手三星电子提升市场份额的可能性随之增大。

科技市场研究公司Counterpoint Research数据显示，SK海力士去年四季度HBM市场占有率为57%，处于绝对领先地位。但随着其HBM4导入节奏调整，业内普遍认为该占比将逐步下滑。

业内人士预计，若三星电子今年下半年能够顺利实现HBM4量产，SK海力士的HBM份额或将回落至50%~60%区间，三星则有机会进一步缩小差距。

结语：SK海力士调整产能结构，兼顾短期利润与长期经营稳定

如今，AI热潮推动HBM成为全球存储行业增长最快的产品线，三星、SK海力士和美光均将其列为核心战略方向。但随着HBM市场格局逐渐稳定，以及传统DRAM进入新一轮涨价周期，存储厂商的竞争逻辑正在发生变化。

整体来看，SK海力士此次产能与产品结构调整，是基于当下存储行业盈利分化、下游终端需求节奏变动做出的阶段性战略优化，核心是通过平衡高端HBM与通用DRAM业务布局，兼顾短期盈利修复与中长期经营稳定性。

对于存储厂商而言，在AI存储和通用存储两条赛道同时占据有利位置，意味着其能同时享受到AI基础设施建设和传统存储周期复苏带来的双重红利。

当下通用DRAM赛道的盈利价值正进一步凸显，SK海力士后续两大产品线的需求落地情况、头部厂商的产能迭代进度，或将成为影响行业整体走势的关键变量。

来源：《朝鲜日报》