芯东西（公众号：aichip001）
作者 | 程茜
编辑 | 漠影

芯东西8月27日报道，8月21日，国产存储芯片巨头长存控股科创板IPO获受理，迎来上市关键节点。

作为中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，长存控股已经跻身全球存储行业第一梯队。根据TrendForce数据，2026年一季度，长存控股NAND Flash出货量、销售金额双双位列全球第三、中国第一。

而长存控股所处的3D NAND闪存是半导体领域典型的高壁垒硬科技赛道，不仅需要持续巨额资本投入研发、建设产线，更要攻克高深宽比刻蚀、多层薄膜沉积、晶圆键合、良率管控等一系列复杂工艺难题。

这一背景下，长存控股没有走简单跟随改良的路线，而是坚持底层原创核心技术攻关，依靠自主研发的晶栈Xtacking架构，跳出传统单晶圆制造框架，啃下超高层堆叠、异质晶圆集成等一系列行业共性技术硬骨头，推动我国3D NAND实现对国际先进水平向前迈进。

长期的技术研发投入使其搭建起完整的自主知识产权体系，2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业，这也意味着其自主知识产权体系得到全球产业层面的认可。

长存控股此番登陆科创板，不仅是其自身借助资本力量加速技术迭代、产能扩张的重要一步，更标志我国NAND闪存产业从技术突围迈向资本、技术、产能协同的正向循环，将进一步推动存储芯片国产替代，带动上游设备材料、下游存储模组全产业链协同崛起，重塑全球存储产业竞争格局。

一、AI存力浪潮风起，长存控股跻身全球NAND第一梯队

AI产业高速发展，算力之外，存力正成为AI大模型落地的核心基础设施，而这一赛道进入超级上行周期，是需求侧爆发与供给侧技术迭代共同作用的结果。

全球知名市研机构IDC预计全球数据新产生量将由2025年的175ZB增长至2030年的1003ZB，五年时间实现超5倍扩张。

这是因为大模型训练、推理、多模态内容生成等产生海量数据，对大容量、高吞吐存储提出更高要求，而单台AI服务器的存储配置远高于传统服务器，再加上智能体等高数据密度新应用落地，直接打开NAND闪存的成长空间。

在需求爆发的同时，NAND闪存技术迭代也为海量数据承载提供了硬件基础。

3D NAND层数不断提升，QLC等技术成熟落地，同时带动了企业级SSD单盘容量提升，单位存储成本下行，使其在数据中心大规模商业化落地，适配AI场景大吞吐量、低时延的读写要求。在此背景下，企业级NAND Flash成为半导体存储器市场增长最快的应用领域。

整体来看，NAND产业链已经走向新的发展阶段。

相比于过往手机、PC等消费端驱动的周期波动，存储已经转变为AI时代的关键基础设施，在一定程度上具备更强的确定性与更长的景气持续性。

面对全新的产业机遇，全球NAND供给格局也随之重构，长存控股凭借技术、产能及成本优势，跻身全球一线存储厂商梯队。

亮眼的财务表现，是其行业地位直观的佐证。根据长存控股的招股书，2026年1～3月其归母净利润达333.79亿元，比2025全年归母净利润142.11亿元的2倍还多，折合下来单日盈利约3.68亿元。

在营收方面，2023年至2026年1-3月，长存控股营收分别为186.44亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元，三年间营收复合增长率达到83.6%，并且收入绝大部分来自核心主业NAND Flash。

▲2023年至2026年1～3月长存控股营收、净利润变化（芯东西制图）

此外在企业用户市场，长存控股已与国内互联网、服务器、消费电子等领域头部企业深度合作，同时切入国际一流客户供应体系。

但这份市场成绩的取得并非易事，3D NAND赛道行业壁垒颇高。

其需要通过垂直向上堆叠存储单元，在芯片内部把成千上万个存储单元“叠高楼”，以此拉高存储密度、压低每比特成本，但受工艺工程、设备材料、资产投入、良率Know‑how、专利生态等约束，全球仅少数玩家具备大规模量产能力。

技术壁垒之下，更凸显出核心自研技术的价值。

二、原创晶栈Xtacking架构是核心壁垒，多项技术指标实现弯道超车

支撑上述硬实力的王牌，便是长存控股全球首创的晶栈Xtacking技术。该技术于2018年首次问世，如今已迭代演进至4.0版本。

回顾存储产业发展早期，也就是晶栈Xtacking推出之前，全球3D NAND可以分为传统并列式架构和CuA架构两大阵营，两类方案均将存储阵列与外围逻辑电路集成在同一块硅片上完成制造流程，不存在晶圆‑对‑晶圆键合工序。

但当3D NAND技术步入200层至300层堆叠时代，存储单元层数持续拉高，同片集成的固有矛盾被持续放大，工艺难度、良率压力与成本挑战随之加剧，行业迫切需要全新的技术方案。

正是在这样的行业背景下，长存控股自研的晶栈Xtacking应运而生。

其跳出固有框架，选择在两片晶圆上完成独立的制造工艺，一片晶圆专门堆存储层，另一片晶圆用成熟工艺单独做外围电路，最后通过数十亿根垂直通道精密键合。

这一架构逻辑虽然巧妙，但落地到量产层面还要攻克一系列严苛的工程难题。其需要实现纳米级的超高精度对位，严格把控键合界面的平整度、洁净度与应力水平，同时建立完整的工艺体系完成兼容性调试与全流程良率管控。

长存控股正是选择了这条难而正确的路。

历经多轮技术打磨，该技术现已迭代至晶栈Xtacking 4.0版本，演进过程中实现了异质集成、同质多堆栈堆叠、晶背信号与电源引出、无台阶自对准字线引出多项架构创新，从本质上解决了氢热耦合矛盾和超高层工艺集成难题。

技术的持续突破，也转化为其拿下的一项项具备行业标志性意义的里程碑成果。2022年推出晶栈Xtacking 3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代晶栈Xtacking 4.0 技术，次年再度获得全球闪存峰会权威奖项；2025年，成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

而底层架构的创新落地到产品端，就成为看得见的综合性能优势。

基于该架构，长存控股的产品在I/O传输速率、存储密度与研发迭代效率上形成对传统架构的差异化领先。例如在传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积20~30%，晶栈Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度，芯片面积可减少约25%；其还实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%。

放眼全球产业竞争格局，对比海外厂商传统架构遭遇的迭代瓶颈，长存控股走出了一条差异化的发展路径，这套方案凭借底层创新实现突破，成为全球3D NAND最具潜力的技术路线之一。

三、资金、人才、专利三管齐下，打牢技术底座

回头来看，AI驱动行业进入超级景气周期，企业想要真正把握本轮时代红利，往往得益于提前完成的技术储备、产能布局与核心能力建设，才能将行业机遇转化为自身竞争优势。

众所周知，存储芯片属于资本密集、技术密集、人才密集的高壁垒核心半导体赛道，企业需对行业发展趋势、产品布局、技术路线进行预判并以巨额资金投入进行前瞻性研发。

正如前文所述，长存控股选择的晶栈Xtacking技术路线壁垒高、落地难度大，也正因如此，其构筑起了差异化技术护城河，在AI存力爆发的时代浪潮中，成为稀缺的、具备全球核心竞争力的国产存储龙头。

这道护城河的第一大关键便是高昂的研发投入。

存储芯片研发、产线建设、工艺量产均需要百亿级甚至千亿级重资产投入。根据招股书，长存控股2023年至2026年1～3月的研发费用分别为43.10亿元、42.94亿元、55.85亿元、17.63亿元，累计研发支出达到约159.53亿元。此外，其本次IPO的募集资金也拟用于长江存储量产线技术升级项目和研发相关募投项目。

另一个关键是核心人才，这也是芯片产业的第一生产力。

招股书显示，长存控股的核心技术人员共11名，均为半导体行业老兵。其中长存控股的首席科学家、创新研究院院长霍宗亮先后主导完成全国首款9层闪存原型芯片、其第一至第五代三维闪存芯片技术与产品的研发并进入量产。

最后是自主知识产权，这也是核心技术落地转化的关键。

在全球存储产业博弈中，充足的专利储备，既能够保护自研创新成果，也是对接海外客户、实现专利交叉授权的重要筹码。

截至2026年3月31日，长存控股拥有6088项已授权专利，其中包括发明专利5611项，并且其自研核心技术已融合应用于主营业务，完成从技术创新到产品商业化的闭环。

在AI驱动的新一轮产业浪潮之下，资金、人才、专利的长期布局，让长存控股具备承接行业红利的基础，而其持续迭代的核心技术，正是下一阶段拉开差距的关键。

结语：国产存储龙头迎接AI存力时代新机遇

纵观长存控股的成长路径，其以晶栈Xtacking技术为核心壁垒，以资金、人才、专利为底层支撑，实现了从技术突破、产能落地到业绩爆发的全方位跨越，成功跻身全球NAND第一梯队。

当下存储产业已经成为技术架构、良率成本、产能交付的综合实力比拼，国内龙头凭借差异化技术与本土化产能优势，成为全球存储格局重塑的核心变量。

放眼未来，全球AI存力需求持续扩容，存储行业长期景气度明确。依托差异化的技术路线，长存控股正持续打破海外技术垄断，成为全球存储行业技术迭代与产业升级的核心标杆。